光刻胶,正性光刻胶,光致抗蚀剂

光刻胶,正性光刻胶,光致抗蚀剂
光刻胶,正性光刻胶,光致抗蚀剂
光刻胶,正性光刻胶,光致抗蚀剂
光刻胶,正性光刻胶,光致抗蚀剂
正性光刻胶系列 * UIV - G6003B(粘度4.5CP) * UIV - G6013B(粘度13CP)


我们开发了性能优异的正性光刻胶系列产品:G6003B/G6013B.
我们开发的正性光刻胶,在分辨率、对比度、敏感度、抗腐蚀性等方面均有优异的表现,
被广泛应用于:模拟半导体、发光二极管、光电子器件/光子器件、封装(Packaging)等领域
 
基本信息
英文名   photoresist
别名   光致抗蚀剂
中文名称   光刻胶,正性光刻胶
 
光刻胶实物图  
 
用 途:   
适用于TP、TN-LCD、STN-LCD 图形制作段光刻
涂布方式:    辊涂,旋涂
包 装:
   PP 瓶,外套两层遮光的黑色PE 袋
1 加仑/瓶(3.78L/瓶),4 瓶/箱
保 存:
 
 5~25℃避光存放,远离热源、火种。储存于5~25℃的温度下且未打开瓶盖
时的储存期限为制造后9 个月。
注意事项:    需在通风良好的条件下使用,在黄光室才能打开包装
推荐工艺:  
 涂胶 辊涂、旋涂
使用粘度  4~13 CP
涂胶厚度 1.2~1.8μm
前烘 95±5℃,90sec
曝光 80mj/cm2
显影 0.8% KOH 水溶液, 90sec,23℃
漂洗 DI 水,30sec
后烘 120 ℃,120sec(热板)或120 ℃,20~30min(烘箱)
蚀刻 FeCL3/HCL(35%)/H2O=1/2/1, 45℃,
去膜 3~5% NaOH 水溶液, 120sec,45℃
漂洗 DI 水 ≥ 120sec
     

产品应用领域

模拟半导体(Analog Semiconductors)、发光二极管(Light-Emitting Diodes LEDs)、微机电系统(Microelectromechanical Systems MEMS)、太阳能光伏(Solar Photovoltaics PV)、微流道和生物芯片(Microfluidics & Biochips)、封装(Packaging)、光电子器件/光子器件(Optoelectronics/Photonics)

 

光刻胶技术文档.Pdf

涂布曲线、曝光影响因素、显影影响因素、侧向腐蚀的影响因素、去膜影响因素

 

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