光刻胶,正性光刻胶,光致抗蚀剂

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正性光刻胶系列 * UIV - G6003B(粘度4.5CP) * UIV - G6013B(粘度13CP)

我们开发了性能优异的正性光刻胶系列产品：G6003B/G6013B.: 我们开发的正性光刻胶，在分辨率、对比度、敏感度、抗腐蚀性等方面均有优异的表现，
被广泛应用于：模拟半导体、发光二极管、光电子器件/光子器件、封装（Packaging）等领域

基本信息
英文名		photoresist
别名		光致抗蚀剂
中文名称		光刻胶，正性光刻胶

光刻胶实物图

用途：		适用于TP、TN-LCD、STN-LCD 图形制作段光刻
涂布方式：		辊涂，旋涂
包装：		PP 瓶，外套两层遮光的黑色PE 袋 1 加仑/瓶（3.78L/瓶），4 瓶/箱
保存：		5～25℃避光存放，远离热源、火种。储存于5～25℃的温度下且未打开瓶盖时的储存期限为制造后9 个月。
注意事项：		需在通风良好的条件下使用,在黄光室才能打开包装
推荐工艺：		涂胶辊涂、旋涂使用粘度 4～13 CP 涂胶厚度 1.2～1.8μm 前烘 95±5℃，90sec 曝光 80mj/cm2 显影 0.8% KOH 水溶液, 90sec，23℃ 漂洗 DI 水，30sec 后烘 120 ℃，120sec（热板）或120 ℃，20～30min（烘箱）蚀刻 FeCL3/HCL(35%)/H2O=1/2/1, 45℃, 去膜 3～5% NaOH 水溶液, 120sec,45℃ 漂洗 DI 水 ≥ 120sec

产品应用领域

模拟半导体（Analog Semiconductors）、发光二极管（Light-Emitting Diodes LEDs）、微机电系统（Microelectromechanical Systems MEMS）、太阳能光伏（Solar Photovoltaics PV）、微流道和生物芯片（Microfluidics & Biochips）、封装（Packaging）、光电子器件/光子器件（Optoelectronics/Photonics）

光刻胶技术文档.Pdf

涂布曲线、曝光影响因素、显影影响因素、侧向腐蚀的影响因素、去膜影响因素

OLED材料